半導體行業(yè)周刊：各地半導體產能建設加速，持續(xù)助力國家經濟發(fā)展

【重點技術】ASML High-NA EUV光刻機取得突破，成功印刷10nm線寬圖案

據外媒4月18日消息，荷蘭阿斯麥 （ASML） 公司宣布，其首臺采用0.55數(shù)值孔徑 （NA） 投影光學系統(tǒng)的高數(shù)值孔徑 （High-NA） 極紫外 （EUV） 光刻機已經成功印刷出首批圖案。這一突破是ASML公司以及整個高數(shù)值孔徑EUV光刻技術領域的一項重大里程碑。

點評：光刻機是半導體產業(yè)的重要生產加工設備之一。近年來，在消費電子需求相對低迷的情況下，電動汽車、風光儲、人工智能等新需求成為半導體產業(yè)成長的新動能，全球光刻機產業(yè)規(guī)模保持穩(wěn)定增長。數(shù)據顯示，2023年，全球半導體設備出貨金額為1063億美元，其中，光刻機市場占比約為24%。因此，據統(tǒng)計，2023年全球光刻機市場規(guī)模在255.12億美元左右，較上年小幅下降1.27%，較2020年增長49.28%。從市場競爭格局看，荷蘭阿斯麥（ASML）是全球光刻機制造技術的絕對領先企業(yè)，與日本佳能、日本尼康共同占據全球光刻機行業(yè)絕大多數(shù)市場份額，引領產業(yè)技術發(fā)展。

此次ASML公司宣布的消息意味著，相較于目前13nm分辨率的EUV光刻機，ASML公司配備0.55NA高數(shù)值孔徑鏡頭的光刻機設備能夠實現(xiàn)8nm的超高分辨率，且該技術允許在單次曝光下印刷出尺寸減小1.7倍、晶體管密度提高2.9倍的晶體管。這標志著全球EUV光刻技術的新階段已經到來。未來，ASML公司將逐漸把高數(shù)值孔徑EUV光刻技術系統(tǒng)調試至最佳性能，并且將逐步把該項技術引入至現(xiàn)實生產環(huán)境中，以消除對EUV雙重曝光的需求，從而簡化生產流程、提高產量并降低成本。這將為全球半導體產業(yè)發(fā)展帶來巨大機遇，同時也說明，未來3nm以下制程芯片的規(guī)?；瘜崿F(xiàn)可能性將大幅度提升。在此趨勢下，全球半導體市場競爭將日益白熱化。

圖1：2020-2023年全球光刻機市場規(guī)模變化（單位：億美元）

資料來源：智研咨詢整理

【重點事件】美國政府宣布計劃向三星電子提供超60億美元補貼

當?shù)貢r間4月15日，美國商務部宣布，美國政府將基于《芯片與科學法》，向三星提供64億美元的直接補貼，支持該公司在得克薩斯州建設半導體工廠及相關設施。據悉，三星將對其位于得州奧斯汀的現(xiàn)有晶圓廠進行擴建，同時在奧斯汀東北方向的泰勒市新建一座晶圓廠、一座先進封裝設施和一座研發(fā)設施。

【重點事件】2024年第二屆特色工藝半導體產業(yè)發(fā)展常州大會隆重舉行

4月18日，2024年第二屆特色工藝半導體產業(yè)發(fā)展常州大會舉行。市長盛蕾，中國科學院院士郝躍、中國工程院院士吳漢明、國際歐亞科學院院士魏少軍等出席活動。

  現(xiàn)場，亦泓科技智能感知、輕舟微電子MEMS傳感器、浦蘭斯半導體射頻感應制粉設備、鑄遠智造虛擬傳感器、鳴耀激光固體激光器5個項目簽約入駐龍城芯谷。來自西安電子科技大學、常州大學、西科控股等高校和投資機構、領軍企業(yè)的6名專家學者、投資人、企業(yè)高管獲“引才合伙人”授牌。東南大學可穿戴電子產教融合基地揭牌，基地將圍繞相關產業(yè)開展產教融合協(xié)同育人，培養(yǎng)更多產業(yè)發(fā)展急需的緊缺人才和原始創(chuàng)新人才。

【重點事件】浙江大學集成電路學院與芯啟源、芯云晟建立合作伙伴關系

4月15日，浙江大學集成電路學院與芯啟源電子科技有限公司、芯云晟電子科技有限公司簽約，正式宣布建立長期戰(zhàn)略合作伙伴關系，旨在打通前沿技術研發(fā)關于產業(yè)應用端的通路，攻克科研成果產業(yè)化難題，形成從技術研發(fā)到產品落地的高效雙向循環(huán)。

簽約儀式上，“浙江大學集成電路學院-芯啟源-數(shù)字仿真與原型驗證聯(lián)合實驗室”、“浙江大學集成電路學院-芯云晟-新一代智算網絡技術聯(lián)合實驗室”正式揭牌。

【重點事件】金義新區(qū)半導體元器件制造加速器項目開工

4月18日，金義新區(qū)舉行半導體元器件制造加速器項目開工儀式。

據悉，該項目總投資15億元，占地面積104.17畝，建筑面積21萬平方米，計劃建設7棟主體建筑。項目位于集科創(chuàng)研發(fā)、高教孵化、智能制造等多功能為一體的金漪湖科技創(chuàng)新策源地，毗鄰金華科技城、金華理工學院，金義快速路近在咫尺，位置優(yōu)越，交通便捷。

項目建成后，將用于承載半導體元器件科創(chuàng)領域科技成果孵化，實現(xiàn)“孵化器+加速器”功能，進一步拓展新區(qū)項目招引的空間，實現(xiàn)筑巢引鳳的同時，助力新區(qū)信創(chuàng)產業(yè)做優(yōu)做強、構建發(fā)展新格局。

【重點事件】能華半導體張家港制造中心（二期）項目動工

4月18日，據張家港市經開區(qū)（楊舍鎮(zhèn)）官微消息，能華半導體張家港制造中心（二期）項目在張家港經開區(qū)再制造基地正式開工建設。

據悉，能華半導體張家港制造中心（二期）項目總投資6000萬元，規(guī)劃建設生產廠房及配套設施，總建筑面積約10000平方米，采用先進半導體外延、測試等工藝技術，購置MOCVD、XRD衍射儀、AFM原子力顯微鏡等設備，新建GaN外延片產線。項目投產后，將形成月產15000片6英寸GaN外延片的生產能力。

資料顯示，江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司是主要從事設計、研發(fā)、生產和銷售以GaN為代表的復合半導體高性能晶圓、功率器件、芯片和模塊的高新技術企業(yè)，擁有包括外延材料、功率芯片和器件、射頻晶圓等行業(yè)內最全的產品線，是國內第三代半導體領軍企業(yè)。

【重點企業(yè)】華虹制造（無錫）項目FAB9主廠房全面封頂

4月20日，華虹制造（無錫）項目FAB9主廠房全面封頂，由四建集團與十一科技聯(lián)合體承建，比計劃工期提前30天。

據悉，華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地是華虹集團走出上海、布局全國的第一個制造業(yè)項目。本工程為二期項目，總建筑面積約53萬平方米，將建設一條月產能8.3萬片的12英寸特色工藝生產線。

此前消息顯示，2023年6月8日，華虹集團旗下華虹宏力在無錫高新區(qū)啟動實施華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地二期項目，投資67億美元。依托華虹半導體多年積累的全球領先特色工藝技術，聚焦車規(guī)級芯片，對相關工藝領域進行深入布局和研發(fā)，持續(xù)提升在新能源汽車、物聯(lián)網、新能源、智能終端等領域的應用。

據了解，2017年8月，華虹無錫一期項目落戶無錫高新區(qū)。預計一期、二期項目全部達產后月產能將達18萬片，華虹無錫項目將成為國內技術最先進、生產規(guī)模最大的12英寸特色工藝研發(fā)和制造基地。

【重點企業(yè)】鑫華半導體年產10000噸電子級多晶硅項目竣工

4月18日，蒙緣六建發(fā)布消息顯示，內蒙古鑫華半導體科技有限公司10000噸每年高純電子級多晶硅產業(yè)集群項目順利建成，目前已進入試生產階段。

據悉，該項目位于內蒙古呼和浩特市賽罕區(qū)金河鎮(zhèn)中環(huán)產業(yè)園，項目占地面積216450平方米，總建筑面積153000平方米，總投資約28億元。建成達產后，可實現(xiàn)向全球客戶長期穩(wěn)定供應年產高純電子級多晶硅10,000噸產能、電子級二氯二氫硅500噸產能、電子級三氯氫硅3,000噸產能和電子級四氯化硅3,000噸產能，滿足全球半導體市場需求量。

【重點企業(yè)】卓銳思創(chuàng)芯片封裝測試項目簽約

4月18日，卓銳思創(chuàng)芯片封裝測試項目在深圳正式簽約。據悉，卓銳思創(chuàng)芯片封裝測試項目計劃總投資約20億元，總占地約60畝，將建設多條新型芯片（28納米）封裝測試生產線，并在清江浦建設國家級實驗室。項目投產后預期產能150KK/月，產值20億/年。

【重點企業(yè)】篆芯半導體總部項目落戶蘇州高新區(qū)

4月17日，“蘇州高新區(qū)發(fā)布”官微宣布，篆芯半導體總部項目簽約落戶蘇州高新區(qū)，將加快攻關突破關鍵核心技術，深耕優(yōu)勢細分領域，為集成電路產業(yè)集群高質量發(fā)展增添新動力。

據悉，此次篆芯半導體簽約落戶，將建設成為企業(yè)總部，充分發(fā)揮研發(fā)創(chuàng)新優(yōu)勢，導入更多高端資源要素，推出更多新技術新產品，達產后預計產值15億元。

據了解，篆芯半導體聚焦具有自主知識產權的高性能網絡芯片及解決方案，面向AI智算、云計算、運營商等行業(yè)客戶需求，致力于打造領先的全國產、高性能、可編程網絡芯片，著力服務融入數(shù)字經濟發(fā)展。

【重點事件】西安8英寸高性能特色工藝半導體芯片生產線項目實現(xiàn)“交地即交證”

4月19日，西安高新區(qū)以“交地即交證”模式向陜西電子芯業(yè)時代科技有限公司核發(fā)了8英寸高性能特色工藝半導體芯片生產線項目的《土地移交單》和《不動產權證書》。

據悉，8英寸高性能特色工藝半導體芯片生產線項目位于西安高新區(qū)綜一路以南、綜三路以北、保八路以東、規(guī)劃路以西，總投資45億元，主要建設一條8英寸高性能特色工藝半導體芯片生產線及配套設施，建成后將填補我省8英寸半導體制造領域的空白，預計產值28.5億元。

此前消息顯示，該項目于2022年9月完成項目備案，力爭2024年建成投產，建成后該項目將填補陜西省8英寸制造領域的空白。

據了解，西安高新區(qū)于2020年底啟動“交地即交證”改革試點工作，保障了一批社會民生項目和產業(yè)項目快速推進，為推動重點項目建設注入了動能。

【重點事件】南明新型光電顯示產業(yè)鏈項目簽約

4月21日，2024中國產業(yè)轉移發(fā)展對接活動（貴州）在貴陽開幕。南明區(qū)與上海紫騏麟企業(yè)管理有限公司簽署南明新型光電顯示產業(yè)鏈項目投資合作協(xié)議。

根據協(xié)議內容，雙方將整合資源優(yōu)勢，在南明智能制造產業(yè)園投資20億元，其中引進外資14.8億元，建設COB燈帶、半導體器件、新型顯示設備等光電產品生產線。項目部分產品將用于出口，有效帶動外貿發(fā)展，建成投產后，預計五年內將累計實現(xiàn)規(guī)模以上工業(yè)產值不低于164億元，綜合納稅不低于8.2億元，有效引入資金、人才、技術、設備，進一步推動南明區(qū)新型顯示、半導體等產業(yè)集群發(fā)展。

【重點企業(yè)】傲迪特半導體攜手鼎華智能啟動MES項目

4月15日，傲迪特半導體（南京）有限公司（以下簡稱“傲迪特半導體”）攜手南京鼎華智能系統(tǒng)有限公司（以下簡稱“鼎華智能”）舉行MES項目啟動大會。這一合作將使傲迪特半導體能夠通過生產流程的數(shù)字化，快速響應客戶需求，提供定制化服務，保持技術領先優(yōu)勢。

據悉，傲迪特半導體憑借在半導體及顯示器行業(yè)積累的十余年設備零部件精密洗凈經驗，以及1000多種零件的生產驗證洗凈技術，專注于為泛半導體領域提供全面的生產設備污染控制解決方案。此次與鼎華智能的CIM系統(tǒng)合作，旨在通過引入制造執(zhí)行系統(tǒng)（MES），構建數(shù)字化車間，實現(xiàn)生產任務過程的全面管控，確保每一張流程卡在工廠內都有完整的數(shù)字足跡，從而提升車間的透明化和智能化水平。

資料顯示，鼎華智能堅持智能制造為主攻方向，依托先進的工業(yè)軟件 MES（制造執(zhí)行系統(tǒng)）、APS（先進排程）、半導體CIM數(shù)字化解決方案等工業(yè)軟件以及數(shù)據服務，持續(xù)為電子半導體、離散制造等行業(yè)客戶提供合適的智能工廠數(shù)字化解決方案。

【重點企業(yè)】新陽硅密完成超億元B輪融資

4月21日，據天眼查APP公布信息顯示，新陽硅密（上海）半導體技術有限公司（以下簡稱“新陽硅密”）宣布完成B輪超億元融資。該輪融資由國鑫投資領投，上?？苿?chuàng)、國貿產業(yè)基金跟投。

資料顯示，新陽硅密由上海新陽半導體材料股份有限公司與硅密四新半導體技術（上海）有限公司于2016年4月重組成立，打造了研發(fā)中心試驗平臺及制造基地，具有完備的研發(fā)及生產能力。專注于半導體濕法制程電鍍設備及相關濕法裝備的研發(fā)、生產、銷售及服務，提供性價比極高的新型全自動電鍍機臺。其自主研發(fā)設備包括水平電鍍設備、化學鍍設備、清洗/去膠設備、供液系統(tǒng)等。

【重點企業(yè)】康達新材子公司擬2.89億元投建半導體光刻膠光引發(fā)劑項目

4月16日，康達新材發(fā)布公告稱，經決議，公司同意控股子公司西安彩晶光電科技股份有限公司投資建設半導體光刻膠核心材料光引發(fā)劑技術研究和產業(yè)化項目。

公告顯示，半導體光刻膠核心材料光引發(fā)劑技術研究和產業(yè)化項目擬建設于陜西省西安經濟技術開發(fā)區(qū)涇渭新城渭華路北段19號，總投資2.89億元，總規(guī)模為光引發(fā)劑603噸/年。項目可以依托彩晶光電的研發(fā)平臺和技術基礎，開展半導體光刻膠關鍵材料光引發(fā)劑制備技術的理論研究、基礎研究和應用技術研究，形成系統(tǒng)化的技術成果。據了解，目前彩晶光電已掌握TFT液晶面板正性光刻膠核心原材料光引發(fā)劑（PAC）及半導體集成電路光刻膠光引發(fā)劑（PAG）的生產技術及工藝，多項產品在目標客戶處進行了性能測試。彩晶光電擬在此基礎上，通過本項目的開展完成產品中試和量產工藝技術研究，并最終形成光引發(fā)劑的產業(yè)化生產能力。

此次投資旨在深化落實康達新材“新材料+電子科技”戰(zhàn)略布局，進一步優(yōu)化控股子公司西安彩晶光電的產品結構，填補國內空白，實現(xiàn)國產替代，解決光刻膠核心材料“卡脖子”問題，突破國際技術和市場壟斷，有力提升我國光刻產業(yè)鏈自主可控水平。

【重點技術】我國研制出世界首個氮化鎵量子光源芯片

4月18日，電子科技大學信息與量子實驗室、天府絳溪實驗室量子互聯(lián)網前沿研究中心與清華大學、中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所合作，在國際上首次研制出氮化鎵量子光源芯片，這是電子科技大學“銀杏一號”城域量子互聯(lián)網研究平臺取得的又一項重要進展，也是天府絳溪實驗室在關鍵核心技術領域取得的又一創(chuàng)新成果。

據悉，研究團隊通過迭代電子束曝光和干法刻蝕工藝，攻克高質量氮化鎵晶體薄膜生長、波導側壁與表面散射損耗等技術難題，在國際上首次將氮化鎵材料運用于量子光源芯片。目前，量子光源芯片多使用氮化硅等材料進行研制，與之相比，氮化鎵量子光源芯片在輸出波長范圍等關鍵指標上取得突破，輸出波長范圍從25.6納米增加到100納米，并可朝著單片集成發(fā)展。

此項研究工作得到國家科技創(chuàng)新2030重大項目、國家自然科學基金、四川省科技計劃等大力支持。近日，以“Quantum Light Generation Based on GaN Microring toward Fully On-Chip Source”為題，發(fā)表在國際著名學術期刊《物理評論快報》上，并被選為“物理亮點”進行重點宣傳報道。

據了解，天府絳溪實驗室量子互聯(lián)網前沿研究中心聚力攻關量子互聯(lián)網領域關鍵核心技術。當前，中心正在加快布局城域量子互聯(lián)網、量子人工智能、量子信息器件等產業(yè)方向，大力推動量子賦能新質生產力在政務、金融、醫(yī)療、健康等領域的應用落地，堅定厚植量子科技的前沿研究和創(chuàng)新應用。

【重點技術】三星推出專為人工智能應用優(yōu)化的10.7Gbps LPDDR5X DRAM

4月17日，三星電子宣布已成功開發(fā)出業(yè)界領先的10.7Gbps LPDDR5X DRAM內存，該產品專為滿足日益增長的人工智能應用需求而設計。這款采用12納米級工藝技術的LPDDR5X DRAM，不僅在性能上比上一代產品提高了超過25%，而且在容量上也有了30%以上的提升，同時在能效比上實現(xiàn)了25%的提升。

據悉，這款新一代LPDDR5X DRAM內存的單封裝容量被擴展至32GB，這一突破性的進展將極大地滿足端側AI應用對高性能和大容量內存的需求。設計亮點在于其能夠根據工作負載頻率調整和優(yōu)化供電模式，擴展低功耗模式頻段，從而在提高性能的同時，有效降低能耗。這一特性使得新產品在移動設備電池壽命的提升和服務器總體擁有成本的降低方面具有顯著優(yōu)勢。

三星電子內存業(yè)務部門表示，新產品的推出標志著公司在低功耗、高性能內存領域的領先地位得到了進一步鞏固。計劃在完成移動處理器廠商和終端設備廠商的驗證后，于今年下半年啟動10.7Gbps LPDDR5X DRAM的量產。

【重點事件】國內首臺大芯片先進封裝專用光刻機交付入廠

4月16日，據廣州產投、越海集成官微消息，由廣東微技術工業(yè)研究院組織的“曝光時刻——3D異構芯片封裝技術研討會”暨國內首臺大芯片先進封裝專用光刻機交付入廠儀式在廣州市增城區(qū)廣東越海集成技術有限公司舉行。

據悉，本次交付入廠的國內首臺大芯片先進封裝專用光刻機由星空科技自主研制，可以為Chiplet和2.5D/3D大芯片的集成制造提供光刻加工工藝，為助力國產人工智能大芯片集各種功能芯片之大成提供了有力的技術支撐。

而該臺光刻機的接收方越海集成，是一家由興橙資本、傳感器集團聯(lián)合中國本土經驗最豐富的TSV晶圓級先進封裝團隊主要發(fā)起設立控股，并由廣東省、廣州市、增城區(qū)三級國資參股的先進封裝企業(yè)，總部位于廣州市增城經濟技術開發(fā)區(qū)核心區(qū)，項目計劃總投資約為人民幣66億元。