研判2025！中國碳化硅晶片?行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈全景、發(fā)展現(xiàn)狀、企業(yè)布局及未來發(fā)展趨勢分析：大尺寸技術(shù)突破與多元應(yīng)用拓展并進(jìn)，國產(chǎn)替代加速突圍【圖】

內(nèi)容概要：碳化硅晶片作為第三代半導(dǎo)體核心材料，是功率器件制造的基礎(chǔ)，其性能、成本與可靠性直接決定下游應(yīng)用效果。我國高度重視其發(fā)展，出臺(tái)一系列政策從戰(zhàn)略引導(dǎo)、技術(shù)創(chuàng)新等多維度構(gòu)建支撐體系，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈完善與市場拓展。產(chǎn)業(yè)鏈中，襯底與外延片為核心環(huán)節(jié)，襯底技術(shù)壁壘高、價(jià)值占比大，成本占器件總成本47%，2024年全球市場規(guī)模達(dá)92億元，預(yù)計(jì)2025年增至123億元。中國作為全球最大應(yīng)用市場，正處快速發(fā)展階段，2024年碳化硅晶片市場規(guī)模約16億元，預(yù)計(jì)2025年增至19.1億元。近年來，中國碳化硅企業(yè)產(chǎn)能擴(kuò)張與技術(shù)升級(jí)勢頭強(qiáng)勁，多家公司加速大尺寸晶片產(chǎn)能落地，向高端化邁進(jìn)。企業(yè)間形成多維競爭格局，頭部企業(yè)全鏈條卡位、細(xì)分領(lǐng)域技術(shù)突圍、下游應(yīng)用強(qiáng)勢拉動(dòng)。未來，行業(yè)將呈現(xiàn)技術(shù)、應(yīng)用與模式協(xié)同演進(jìn)趨勢，加速晶圓量產(chǎn)過渡與新興領(lǐng)域滲透，IDM與代工模式共同發(fā)展，增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同性與韌性。

上市企業(yè)：士蘭微（600460.SH）、斯達(dá)半導(dǎo)（603290.SH）、天岳先進(jìn)（688234.SH）、三安光電（600703.SH）、露笑科技（002617.SZ）、揚(yáng)杰科技（300373.SZ）、時(shí)代電氣（688187.SH）、晶盛機(jī)電（300316.SZ）、北方華創(chuàng)（002371.SZ）

相關(guān)企業(yè)：北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司、瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司、廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司、江蘇利瀧半導(dǎo)體科技有限公司、安徽長飛先進(jìn)半導(dǎo)體股份有限公司、華潤微電子控股有限公司

關(guān)鍵詞：碳化硅晶片?、碳化硅晶片?政策、碳化硅晶片?行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈、碳化硅晶片?發(fā)展現(xiàn)狀、碳化硅晶片市場規(guī)模、碳化硅晶片?企業(yè)格局、碳化硅晶片?發(fā)展趨勢

一、碳化硅晶片?行業(yè)相關(guān)概述

碳化硅晶片（SiC Wafer），全稱為碳化硅襯底晶片，是以碳化硅單晶為原料，經(jīng)過晶體生長、切割、研磨、拋光等多道精密工藝加工而成的薄片。它作為襯底，用于后續(xù)外延層生長及功率器件（如MOSFET、IGBT）的制造，是決定器件性能、成本和可靠性的核心基礎(chǔ)材料。

碳化硅晶片主要依據(jù)三個(gè)核心維度分類，不同類別對(duì)應(yīng)差異化應(yīng)用場景：按尺寸可分為4英寸、6英寸和8英寸，其中4英寸技術(shù)成熟適用于中低壓器件，6英寸是當(dāng)前市場主流，8英寸為未來降本增效的發(fā)展方向；按導(dǎo)電類型可分為導(dǎo)電型（N型）與半絕緣型，前者多用于新能源汽車、光伏等領(lǐng)域的功率器件制造，后者因抗干擾性強(qiáng)，主要應(yīng)用于5G基站、雷達(dá)等射頻器件；按晶體結(jié)構(gòu)則以4H-SiC為主流，其兼具高電子遷移率與穩(wěn)定性，適配多數(shù)功率及射頻場景，另有6H-SiC（應(yīng)用較少）和3C-SiC（制備難度大、未大規(guī)模商用）等類型。

二、中國碳化硅晶片行業(yè)政策

碳化硅晶片作為第三代半導(dǎo)體的關(guān)鍵材料，在我國產(chǎn)業(yè)升級(jí)與科技自主戰(zhàn)略中占據(jù)重要地位。國家層面高度重視其發(fā)展，近年來密集出臺(tái)《關(guān)于擴(kuò)大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)投資培育壯大新增長點(diǎn)增長極的指導(dǎo)意見》《制造業(yè)可靠性提升實(shí)施意見》《關(guān)于促進(jìn)大功率充電設(shè)施科學(xué)規(guī)劃建設(shè)的通知》《電子信息制造業(yè)2025-2026年穩(wěn)增長行動(dòng)方案》《電力裝備行業(yè)穩(wěn)增長工作方案（2025-2026年）》等一系列政策，從戰(zhàn)略引導(dǎo)、技術(shù)創(chuàng)新、應(yīng)用推廣與基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)等多維度協(xié)同發(fā)力，共同為碳化硅晶片行業(yè)構(gòu)建了有力的政策支撐體系，有效推動(dòng)了產(chǎn)業(yè)鏈的完善與市場空間的拓展。

三、中國碳化硅晶片行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈

中國碳化硅晶片行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上中下游協(xié)同發(fā)展且國產(chǎn)替代加速，上游為原材料與設(shè)備供應(yīng)，原材料以襯底與外延片制備為核心，技術(shù)壁壘和價(jià)值最高，目前國內(nèi)已實(shí)現(xiàn)6英寸襯底規(guī)?；?，并積極向8英寸升級(jí)，設(shè)備端晶體生長爐、外延爐國產(chǎn)化成效顯著，但刻蝕等高端設(shè)備仍依賴進(jìn)口；中游是晶片制造與外延生長核心環(huán)節(jié)，6英寸晶片為當(dāng)前主流；下游應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，新能源汽車是核心市場，800V高壓平臺(tái)車型普及推動(dòng)碳化硅模塊滲透率提升，光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源、軌道交通等領(lǐng)域需求同步增長，形成多輪驅(qū)動(dòng)的產(chǎn)業(yè)格局。

襯底與外延片是碳化硅晶片產(chǎn)業(yè)鏈的核心環(huán)節(jié)，其中襯底因晶體生長控制難度大、精密加工要求高，成為技術(shù)壁壘最高、價(jià)值占比最大的部分，其成本占碳化硅器件總成本的47%，直接決定下游器件的性能與整體成本。近年來，全球頭部廠商積極擴(kuò)產(chǎn)，推動(dòng)碳化硅襯底供給能力快速提升。在下游電力電子與射頻器件需求爆發(fā)的驅(qū)動(dòng)下，行業(yè)實(shí)現(xiàn)高速增長。數(shù)據(jù)顯示，2024年全球碳化硅襯底市場規(guī)模已達(dá)92億元，同比增長24.32%。隨著8英寸、12英寸襯底技術(shù)逐步成熟并走向產(chǎn)業(yè)化，市場空間有望進(jìn)一步擴(kuò)大。預(yù)計(jì)到2025年，全球碳化硅襯底市場規(guī)模將增至123億元，為整個(gè)碳化硅產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展提供強(qiáng)勁支撐。

碳化硅外延片也是碳化硅晶片產(chǎn)業(yè)鏈的核心環(huán)節(jié)，指通過化學(xué)氣相沉積等技術(shù)，在碳化硅襯底表面生長出與襯底晶體結(jié)構(gòu)一致、滿足器件性能要求的單晶薄膜（外延層），其質(zhì)量直接決定下游碳化硅功率器件的開關(guān)速度、耐壓性等關(guān)鍵指標(biāo)。從成本結(jié)構(gòu)看，外延片在碳化硅器件總成本中占比約23%，是僅次于襯底的第二大價(jià)值環(huán)節(jié)。近年來，受益于新能源汽車800V高壓平臺(tái)滲透率提升、光伏逆變器高效化改造需求釋放，全球碳化硅外延片需求穩(wěn)步增長，2024年行業(yè)市場規(guī)模達(dá)87億元，同比增長9.09%；預(yù)計(jì)到2025年全球碳化硅外延行業(yè)市場規(guī)模將增至95億元，為碳化硅晶片行業(yè)整體擴(kuò)容提供重要支撐。

相關(guān)報(bào)告：智研咨詢發(fā)布的《中國碳化硅晶片行業(yè)市場競爭格局及產(chǎn)業(yè)需求研判報(bào)告》

四、中國碳化硅晶片?行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析

中國作為全球最大的碳化硅應(yīng)用市場，其碳化硅晶片行業(yè)正處在快速發(fā)展和深刻變革的關(guān)鍵階段。憑借耐高壓、耐高溫和高頻高效的優(yōu)異特性，碳化硅作為第三代半導(dǎo)體核心材料，已廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、5G通信及AI數(shù)據(jù)中心等關(guān)鍵領(lǐng)域。在政策層面，國家將其列入重點(diǎn)發(fā)展領(lǐng)域，通過稅收減免、研發(fā)補(bǔ)貼等多項(xiàng)措施，有力推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈的國產(chǎn)化進(jìn)程。市場需求方面，新能源汽車800V高壓平臺(tái)的加速普及，以及AI算力崛起所驅(qū)動(dòng)的數(shù)據(jù)中心電源革新與AR眼鏡等新興應(yīng)用，共同為行業(yè)發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力。2024年，中國碳化硅晶片市場規(guī)模已達(dá)約16億元，預(yù)計(jì)2025年將增長至19.1億元，年增速接近20%，展現(xiàn)出良好的成長性和市場前景。

近年來，中國碳化硅企業(yè)在產(chǎn)能擴(kuò)張與技術(shù)升級(jí)方面展現(xiàn)出強(qiáng)勁勢頭，多家公司加速6英寸、8英寸碳化硅晶片產(chǎn)能落地。東尼電子、博藍(lán)特半導(dǎo)體等企業(yè)積極擴(kuò)大襯底產(chǎn)能，瀚天天成、廣東天域半導(dǎo)體則大幅提升外延片制造能力，其中天域新項(xiàng)目建成后年產(chǎn)能將達(dá)150萬片。在技術(shù)前沿方面，芯聯(lián)集成、南砂晶圓、士蘭微電子等企業(yè)紛紛實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅晶片的工程下線、投產(chǎn)或啟動(dòng)芯片制造線建設(shè)，天岳先進(jìn)更率先發(fā)布了12英寸襯底產(chǎn)品，標(biāo)志著我國碳化硅產(chǎn)業(yè)正加速向大尺寸、高端化方向邁進(jìn)，為產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控與規(guī)模化發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

五、中國碳化硅晶片行業(yè)企業(yè)競爭格局

中國碳化硅晶片行業(yè)已形成以技術(shù)突破、模式創(chuàng)新與下游驅(qū)動(dòng)為核心的多維競爭格局：技術(shù)層面，天岳先進(jìn)、瀚天天成等企業(yè)率先實(shí)現(xiàn)8英寸襯底與外延片量產(chǎn)，并向12英寸大尺寸晶片進(jìn)軍，通過規(guī)?；a(chǎn)降低單位成本；模式層面，三安光電等IDM企業(yè)通過全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合強(qiáng)化供應(yīng)鏈安全與技術(shù)協(xié)同，晶盛機(jī)電等設(shè)備龍頭則以“設(shè)備+材料”雙輪驅(qū)動(dòng)拓展業(yè)務(wù)邊界；應(yīng)用層面，新能源汽車成為主戰(zhàn)場，斯達(dá)半導(dǎo)、揚(yáng)杰科技等器件廠商深度綁定800V高壓平臺(tái)車企，車規(guī)級(jí)產(chǎn)品占比持續(xù)提升。與此同時(shí)，露笑科技、天科合達(dá)等企業(yè)在細(xì)分環(huán)節(jié)通過導(dǎo)模法、良率提升等差異化技術(shù)鞏固市場地位，而北方華創(chuàng)等設(shè)備材料企業(yè)則通過全流程設(shè)備覆蓋加速國產(chǎn)替代。整體來看，行業(yè)呈現(xiàn)“頭部企業(yè)全鏈條卡位、細(xì)分領(lǐng)域技術(shù)突圍、下游應(yīng)用強(qiáng)勢拉動(dòng)”的立體化競爭態(tài)勢，國產(chǎn)化率與產(chǎn)業(yè)鏈自主可控能力持續(xù)增強(qiáng)。

六、中國碳化硅晶片?行業(yè)發(fā)展趨勢分析

中國碳化硅晶片行業(yè)未來將呈現(xiàn)技術(shù)、應(yīng)用與模式協(xié)同演進(jìn)的發(fā)展趨勢。技術(shù)層面，行業(yè)正加速從6英寸向8英寸晶圓量產(chǎn)過渡，并積極布局12英寸技術(shù)，晶片尺寸的升級(jí)結(jié)合工藝優(yōu)化，有望持續(xù)推動(dòng)成本下降與性能提升。應(yīng)用層面，在新能源汽車（尤其是800V高壓平臺(tái)）需求主導(dǎo)的基礎(chǔ)上，碳化硅憑借其高頻、高效等優(yōu)勢，正加速向光伏儲(chǔ)能、AI數(shù)據(jù)中心以及AR眼鏡等新興領(lǐng)域滲透，構(gòu)建多元化的增長格局。產(chǎn)業(yè)模式層面，IDM（整合器件制造）憑借其垂直整合優(yōu)勢將繼續(xù)占據(jù)主導(dǎo)，并與專業(yè)的代工模式共同發(fā)展，以增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同性與韌性。具體發(fā)展趨勢如下：

1、技術(shù)驅(qū)動(dòng)：大尺寸化與缺陷控制成為降本增效核心路徑

未來中國碳化硅晶片行業(yè)將持續(xù)聚焦技術(shù)迭代，其中大尺寸化與缺陷控制將是推動(dòng)產(chǎn)業(yè)降本增效的兩大核心引擎。行業(yè)技術(shù)路線明確從當(dāng)前主流的6英寸向8英寸乃至更大尺寸晶圓過渡，這一演進(jìn)不僅能顯著提升單片晶圓的芯片產(chǎn)出量，更是降低單位成本的關(guān)鍵舉措。與此同時(shí)，隨著物理氣相傳輸法等長晶工藝的持續(xù)優(yōu)化，行業(yè)將著力攻克晶體制備過程中的微管、位錯(cuò)等固有缺陷問題，通過提升晶體質(zhì)量與產(chǎn)品良率來增強(qiáng)器件可靠性并優(yōu)化綜合成本。這一技術(shù)演進(jìn)路徑將促使資源向具備持續(xù)研發(fā)能力的頭部企業(yè)集中，推動(dòng)行業(yè)從規(guī)模擴(kuò)張向高質(zhì)量發(fā)展轉(zhuǎn)型。

2、應(yīng)用拓展：多元場景驅(qū)動(dòng)與新興領(lǐng)域突破構(gòu)建增長新格局

在應(yīng)用層面，碳化硅晶片的市場邊界將持續(xù)拓寬，形成多元場景驅(qū)動(dòng)的發(fā)展新格局。除新能源汽車主驅(qū)逆變器、車載充電機(jī)等核心應(yīng)用場景的持續(xù)深化外，碳化硅器件在光伏逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)電機(jī)等能源電力領(lǐng)域的滲透率將顯著提升。特別值得關(guān)注的是，隨著AI算力需求的爆發(fā)式增長，數(shù)據(jù)中心電源革新為碳化硅創(chuàng)造了全新的應(yīng)用空間；而在追求極致輕薄的AR眼鏡等消費(fèi)電子領(lǐng)域，碳化硅作為理想襯底材料的潛力也將逐步釋放。這種應(yīng)用場景的多元化不僅增強(qiáng)了產(chǎn)業(yè)發(fā)展的韌性，也為不同技術(shù)路線的企業(yè)提供了差異化競爭的機(jī)會(huì)。

3、產(chǎn)業(yè)協(xié)同：垂直整合與生態(tài)共建提升產(chǎn)業(yè)鏈整體競爭力

面對(duì)全球競爭格局，中國碳化硅產(chǎn)業(yè)將加速向垂直整合與生態(tài)協(xié)同方向發(fā)展。越來越多的企業(yè)將通過IDM模式或戰(zhàn)略聯(lián)盟方式，打通從襯底材料、外延生長到器件設(shè)計(jì)、制造封測的全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)，以此保障供應(yīng)鏈安全、實(shí)現(xiàn)技術(shù)協(xié)同并優(yōu)化成本結(jié)構(gòu)。在政策引導(dǎo)下，區(qū)域性產(chǎn)業(yè)集群效應(yīng)將更加凸顯，形成設(shè)備、材料、設(shè)計(jì)、制造等環(huán)節(jié)高效協(xié)作的創(chuàng)新生態(tài)。這種深度協(xié)同不僅有助于加速國產(chǎn)化替代進(jìn)程，更將提升中國碳化硅產(chǎn)業(yè)在全球市場的整體競爭力，推動(dòng)行業(yè)從單點(diǎn)突破邁向系統(tǒng)優(yōu)勢構(gòu)建的新階段。

以上數(shù)據(jù)及信息可參考智研咨詢（www.elizabethfrankierollins.com）發(fā)布的《中國碳化硅晶片行業(yè)市場競爭格局及產(chǎn)業(yè)需求研判報(bào)告》。智研咨詢是中國領(lǐng)先產(chǎn)業(yè)咨詢機(jī)構(gòu)，提供深度產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告、商業(yè)計(jì)劃書、可行性研究報(bào)告及定制服務(wù)等一站式產(chǎn)業(yè)咨詢服務(wù)。您可以關(guān)注【智研咨詢】公眾號(hào)，每天及時(shí)掌握更多行業(yè)動(dòng)態(tài)。