半導(dǎo)體設(shè)備需求正快速釋放，進(jìn)口替代仍需時日【圖】

    全球半導(dǎo)體景氣度有所下滑，表現(xiàn)在費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)回落，更直接體現(xiàn)在主要半導(dǎo)體產(chǎn)品價(jià)格下降。盡管如此，中國集成電路貿(mào)易逆差進(jìn)一步擴(kuò)大，國內(nèi)需求缺口日益突出。

    2018年1-9月，中國集成電路進(jìn)口超過2300億美元，出口僅660億美元，貿(mào)易逆差1700多億美元，同比增29%。2017年全年集成電路貿(mào)易逆差為1925億美元，2018年將明顯超過2017年水平，國內(nèi)集成電路需求缺口顯著擴(kuò)大。國在未來很長一段時間內(nèi)將持續(xù)加大半導(dǎo)體產(chǎn)品供應(yīng)，國內(nèi)多個重點(diǎn)半導(dǎo)體自造項(xiàng)目正同時推進(jìn)，有望支撐國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)逐步成長。

2008-2018Q1-Q3中國半導(dǎo)體貿(mào)易逆差圖

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    集成電路產(chǎn)業(yè)鏈大體可以分為芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造和封裝測試三個環(huán)節(jié)。芯片設(shè)計(jì)屬于高知識密集型企業(yè)，該行業(yè)具備高毛利率，進(jìn)入門檻較高等特點(diǎn)，該行業(yè)目前是美國、日本、韓國和英國處于領(lǐng)先地位，但近些年，國內(nèi)部分企業(yè)獲得突破，與國外差距正逐步拉近；晶圓制造屬于高資本密集型、高技術(shù)密集型，該領(lǐng)域具有強(qiáng)者恒強(qiáng)的特征，門檻也最高，目前被美國、中國臺灣和韓國所壟斷，中國短板主要集中在該領(lǐng)域，距離世界最先進(jìn)水平大約為8到10年；而封裝測試則屬于勞動密集型，該領(lǐng)域技術(shù)門檻最低，在國內(nèi)擁有大量企業(yè)。

    2017年，中國在建的12英寸晶圓制造在建產(chǎn)能為810K/M,投資額合計(jì)為5,740.49億元；規(guī)劃的12英寸晶圓制造投資額為7,812.3億元,合計(jì)為13,552.79億元。

2017年底中國12英寸晶圓制造規(guī)劃圖

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    2018年中國集成電路設(shè)備銷售將達(dá)113億美元，同比增長49.3%。國產(chǎn)集成電路設(shè)備公司的實(shí)力仍然偏弱，絕大部分企業(yè)無法達(dá)到國際上已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的10nm工藝，部分企業(yè)突破到28nm或14nm工藝，但在使用的穩(wěn)定性上與國際巨頭差距較大，較難大批量進(jìn)入量產(chǎn)線，也較難進(jìn)入國際代工巨頭的生產(chǎn)線。目前國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備自給率不足15%。

中國集成電路產(chǎn)業(yè)鏈占比圖

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2011-2018年中國半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模圖

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    2018年前三季度，捷佳偉創(chuàng)實(shí)現(xiàn)銷售收入10.98億元，同比增長22.68%，收入位列半導(dǎo)體設(shè)備的第三位；歸屬母公司所有者凈利潤2.61億元，同比增長23.52%。

2018年前三季度半導(dǎo)體設(shè)備上市公司營業(yè)收入及增速

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2018年前三季度半導(dǎo)體設(shè)備上市公司ROE

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    半導(dǎo)體設(shè)備可分為集成電路設(shè)備和光伏設(shè)備。據(jù)調(diào)查數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，目前國內(nèi)12英寸晶圓廠投資金額合計(jì)為13,552.79億元，其中設(shè)備投資超過萬億元人民幣，2018年國內(nèi)集成電路設(shè)備需求超過113美元，同比增長49%。

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