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研判2025!中國動態(tài)隨機(jī)存取存儲器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈、發(fā)展現(xiàn)狀、競爭格局及發(fā)展趨勢分析:AI浪潮推升存儲需求,行業(yè)未來發(fā)展?jié)摿薮骩圖]

內(nèi)容概要:近年來,全球動態(tài)隨機(jī)存取存儲器行業(yè)市場規(guī)模呈現(xiàn)波動增長態(tài)勢。2019-2021年全球動態(tài)隨機(jī)存取存儲器行業(yè)市場規(guī)模從621.8億美元增長至949億美元;2022年-2023年受半導(dǎo)體進(jìn)入下行周期影響,動態(tài)隨機(jī)存取存儲器行業(yè)市場規(guī)模呈現(xiàn)下降趨勢;2024年,全球AI浪潮推動存儲需求爆發(fā),疊加終端需求逐步回暖,晶圓代工產(chǎn)能利用率回升,使得存儲芯片市場加速復(fù)蘇,行業(yè)景氣度持續(xù)攀升,從而帶動動態(tài)隨機(jī)存取存儲器市場發(fā)展,估計2024年全球動態(tài)隨機(jī)存取存儲器行業(yè)市場規(guī)模同比上漲54.46%至780億美元。


相關(guān)上市企業(yè)兆易創(chuàng)新(603986)、佰維存儲(688525)、德明利(001309)、東芯股份(688110)、江波龍(301308)、芯原股份(688521)、復(fù)旦微電(688385)、恒爍股份(688416)、深科技(000021)、普冉股份(688766)、聚辰股份(688123)等。


相關(guān)企業(yè):長鑫存儲技術(shù)有限公司、深圳市埃芯半導(dǎo)體科技有限公司、深圳市嘉合勁威電子科技有限公司、上海江波龍數(shù)字技術(shù)有限公司、宏茂微電子(上海)有限公司、威剛科技(蘇州)有限公司、愛思開海力士半導(dǎo)體(重慶)有限公司、華邦電子股份有限公司、深圳市貝樂實業(yè)股份有限公司等。


關(guān)鍵詞:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器、DRAM 、SRAM、AI浪潮


一、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器行業(yè)相關(guān)概述


存儲芯片是指以半導(dǎo)體電路作為存儲媒介的存儲器,通常用于保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的記憶設(shè)備,是現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)的重要組成部分。可分為易失性存儲芯片(斷電后易丟失數(shù)據(jù))和非易失性存儲芯片(斷電后仍保存數(shù)據(jù))兩類。其中常見的易失性存儲芯片有 DRAM 和 SRAM;非易失性存儲芯片包括 Flash(閃存)、ROM(只讀存儲器)等。

存儲芯片分類


動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)是一種半導(dǎo)體存儲器,主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進(jìn)制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象,導(dǎo)致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù),而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對于DRAM來說,周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性,因此被稱為“動態(tài)”存儲器。相對來說,靜態(tài)存儲器(SRAM)只要存入數(shù)據(jù)后,縱使不刷新也不會丟失記憶。與SRAM相比,DRAM的優(yōu)勢在于結(jié)構(gòu)簡單——每一個比特的數(shù)據(jù)都只需一個電容跟一個晶體管來處理,相比之下在SRAM上一個比特通常需要六個晶體管。正因這緣故,DRAM擁有非常高的密度,單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的,DRAM也有訪問速度較慢,耗電量較大的缺點(diǎn)。

DRAM與SRAM對比


二、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈


從產(chǎn)業(yè)鏈來看,動態(tài)隨機(jī)存取存儲器行業(yè)上游是指原材料供應(yīng),主要包括半導(dǎo)體硅片、光刻膠、靶材、電子氣體等,這些原材料的質(zhì)量和供應(yīng)穩(wěn)定性對動態(tài)隨機(jī)存取存儲器的生產(chǎn)質(zhì)量和成本具有重要影響。中游是指動態(tài)隨機(jī)存取存儲器行業(yè)的生產(chǎn)供應(yīng)環(huán)節(jié)。下游是指行業(yè)的主要應(yīng)用領(lǐng)域,包括消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子、智能終端等。

動態(tài)隨機(jī)存取存儲器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈


相關(guān)報告:智研咨詢發(fā)布的《中國動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)行業(yè)市場動態(tài)分析及發(fā)展趨向研判報告


三、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀


自2022年下半年起,受多重因素影響,全球經(jīng)濟(jì)增速放緩,半導(dǎo)體行業(yè)的需求格局發(fā)生了劇變。消費(fèi)市場動力不足、產(chǎn)能擴(kuò)張過快,半導(dǎo)體行業(yè)的供需狀況從“缺芯”轉(zhuǎn)向了“砍單”模式。但到了2024年,全球半導(dǎo)體市場迎來強(qiáng)勢復(fù)蘇。根據(jù)SIA數(shù)據(jù)顯示,2024 年第一季度全球半導(dǎo)體銷售總額為1377億美元,同比增長15.2%;到了2024年第四季度,全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)到1709億美元,同比增長17.1%。這一增長表明,盡管面臨全球經(jīng)濟(jì)不確定性,半導(dǎo)體市場依然保持了強(qiáng)勁的增長勢頭。而動態(tài)隨機(jī)存取存儲器作為一種半導(dǎo)體存儲器,隨著半導(dǎo)體市場的恢復(fù),其需求量將不斷增加。

2024年1-4季度全球半導(dǎo)體市場銷售額及增速


近年來,全球動態(tài)隨機(jī)存取存儲器行業(yè)市場規(guī)模呈現(xiàn)波動增長態(tài)勢。2019-2021年全球動態(tài)隨機(jī)存取存儲器行業(yè)市場規(guī)模從621.8億美元增長至949億美元;2022年-2023年受半導(dǎo)體進(jìn)入下行周期影響,動態(tài)隨機(jī)存取存儲器行業(yè)市場規(guī)模呈現(xiàn)下降趨勢;2024年,全球AI浪潮推動存儲需求爆發(fā),疊加終端需求逐步回暖,晶圓代工產(chǎn)能利用率回升,使得存儲芯片市場加速復(fù)蘇,行業(yè)景氣度持續(xù)攀升,從而帶動動態(tài)隨機(jī)存取存儲器市場發(fā)展,估計2024年全球動態(tài)隨機(jī)存取存儲器行業(yè)市場規(guī)模同比上漲54.46%至780億美元。


進(jìn)入2025年1月,DRAM價格急劇下滑,創(chuàng)下了兩年內(nèi)最大單月跌幅,這一趨勢主要受市場普遍供過于求,庫存積壓嚴(yán)重,對價格走勢造成了壓力。其中標(biāo)志性產(chǎn)品DDR4 8GB的批發(fā)價格跌至約1.75美元,而4GB版本則約為1.34美元,兩者均較前月下降了6%,標(biāo)志著連續(xù)五個月的價格下行。其中,8GB型號自2023年3月以來跌幅最大,4GB型號則是自2023年4月以來的最大跌幅。盡管當(dāng)前市場環(huán)境嚴(yán)峻,但預(yù)計未來一段時間內(nèi)DRAM行業(yè)價格將觸底反彈。這一方面是因為供給端不斷縮減,全球三大DRAM制造商(韓國的三星、SK海力士,以及美國的美光)將積極調(diào)整生產(chǎn)策略,另一方面是因為市場需求的恢復(fù),庫存問題將得到緩解。

2019-2024年全球動態(tài)隨機(jī)存取存儲器行業(yè)市場規(guī)模及增速


得益于智能手機(jī)、電腦等消費(fèi)電子設(shè)備的持續(xù)發(fā)展,尤其是高性能智能手機(jī)和電腦的應(yīng)用程序?qū)?nèi)存容量的要求日益提高?,我國DRAM需求快速增長。到目前我國已是全球最大的DRAM市場,需求占全球三分之一。據(jù)統(tǒng)計,2023年我國DRAM市場規(guī)模為2580.1億元,其中手機(jī)領(lǐng)域DRAM為997.2億元,市場占比達(dá)到39%,是我國DRAM行業(yè)主要應(yīng)用領(lǐng)域。

2023年中國動態(tài)隨機(jī)存取存儲器行業(yè)市場規(guī)模占比


四、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器行業(yè)競爭格局


?在動態(tài)隨機(jī)存取存儲器行業(yè)的競爭格局中,國際巨頭如三星、SK海力士和美光仍然占據(jù)主導(dǎo)地位,這些企業(yè)不僅在技術(shù)研發(fā)上保持領(lǐng)先,還在市場拓展和產(chǎn)能布局上積極行動,以鞏固和擴(kuò)大市場份額。然而,中國本土企業(yè)如長鑫存儲技術(shù)有限公司、兆易創(chuàng)新科技集團(tuán)股份有限公司、宏茂微電子(上海)有限公司、東芯半導(dǎo)體股份有限公司、深圳佰維存儲科技股份有限公司等也在積極擴(kuò)展市場份額,通過技術(shù)創(chuàng)新和政策支持,逐步縮小與國際巨頭的差距?。

中國動態(tài)隨機(jī)存取存儲器行業(yè)相關(guān)企業(yè)


??兆易創(chuàng)新科技集團(tuán)股份有限公司主要業(yè)務(wù)為存儲器、微控制器和傳感器的研發(fā)、技術(shù)支持和銷售。公司現(xiàn)有產(chǎn)品主要分為存儲器產(chǎn)品、微控制器產(chǎn)品以及傳感器產(chǎn)品。其中,公司存儲器產(chǎn)品包括閃存芯片(NOR Flash、NAND Flash)和動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)。在 DRAM 產(chǎn)品,公司積極切入DRAM 存儲器利基市場(消費(fèi)、工控等),并已推出DDR4、DDR3L等產(chǎn)品,在消費(fèi)電子(包括機(jī)頂盒、電視、智能家居等)、工業(yè)、網(wǎng)絡(luò)通信等領(lǐng)域取得較好的營收,并持續(xù)推進(jìn)規(guī)劃中的其他自研產(chǎn)品。2024年上半年,公司存儲芯片實現(xiàn)營業(yè)收入26.05億元,同比上漲29.41%。

2020-2024年上半年兆易創(chuàng)新存儲芯片營業(yè)收入及增速


?長鑫存儲技術(shù)有限公司成立于2017年,是一家一體化存儲器制造公司,主要從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片(DRAM)的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。經(jīng)過多年的發(fā)展,公司已在國內(nèi)外設(shè)有多個研發(fā)中心和分支機(jī)構(gòu),進(jìn)一步鞏固了其行業(yè)地位。其技術(shù)團(tuán)隊?wèi){借深厚的研發(fā)背景和出色的創(chuàng)新能力,已推出多款DRAM商用產(chǎn)品,如LPDDR5 內(nèi)存芯片、DDR4 內(nèi)存芯片、LPDDR4X 內(nèi)存芯片等,廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。

長鑫存儲產(chǎn)品一覽


五、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器行業(yè)發(fā)展趨勢


1、市場需求多元化與細(xì)分化


隨著數(shù)字化轉(zhuǎn)型的深入和新興應(yīng)用場景的不斷涌現(xiàn),DRAM存儲器的市場需求將更加多元化和細(xì)分化。特別是在數(shù)據(jù)中心、人工智能(AI)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)等領(lǐng)域,DRAM存儲器的應(yīng)用將更加廣泛和深入。這些領(lǐng)域?qū)Ω咝阅堋⒋笕萘看鎯ζ鞯男枨髮⒊掷m(xù)增加,為DRAM行業(yè)帶來新的增長動力。


2、技術(shù)持續(xù)創(chuàng)新與升級


DRAM技術(shù)不斷演進(jìn),從DDR3到DDR4、DDR5,再到最新的DDR5X和LPDDR5X,性能不斷提升。制程工藝也在不斷優(yōu)化,例如三星電子已經(jīng)實現(xiàn)了1αnm制程的DRAM生產(chǎn)。未來,DRAM行業(yè)將繼續(xù)加大技術(shù)研發(fā)投入,提升產(chǎn)品性能和良品率,以滿足市場對高性能存儲器的需求。同時,新型材料和新技術(shù)的應(yīng)用也將為DRAM市場帶來新的增長點(diǎn)。


3、國產(chǎn)替代加速


中國作為全球最大的電子產(chǎn)品生產(chǎn)基地之一,對存儲器的需求巨大。中國政府將繼續(xù)推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,為存儲器企業(yè)提供良好的政策環(huán)境。中國本土DRAM企業(yè)的崛起將深刻影響全球DRAM市場的結(jié)構(gòu),國產(chǎn)替代率持續(xù)提升。這將有助于降低對海外DRAM產(chǎn)品的依賴,提高國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈的穩(wěn)定性和安全性。


以上數(shù)據(jù)及信息可參考智研咨詢(www.elizabethfrankierollins.com)發(fā)布的《中國動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)行業(yè)市場動態(tài)分析及發(fā)展趨向研判報告》。智研咨詢是中國領(lǐng)先產(chǎn)業(yè)咨詢機(jī)構(gòu),提供深度產(chǎn)業(yè)研究報告、商業(yè)計劃書、可行性研究報告及定制服務(wù)等一站式產(chǎn)業(yè)咨詢服務(wù)。您可以關(guān)注【智研咨詢】公眾號,每天及時掌握更多行業(yè)動態(tài)。

本文采編:CY397
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2025-2031年中國動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)行業(yè)市場動態(tài)分析及發(fā)展趨向研判報告
2025-2031年中國動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)行業(yè)市場動態(tài)分析及發(fā)展趨向研判報告

《2025-2031年中國動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)行業(yè)市場動態(tài)分析及發(fā)展趨向研判報告》共八章,包含中國動態(tài)隨機(jī)存取存儲器產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)及全產(chǎn)業(yè)鏈布局狀況研究,中國動態(tài)隨機(jī)存取存儲器行業(yè)重點(diǎn)企業(yè)布局案例研究,中國動態(tài)隨機(jī)存取存儲器行業(yè)市場及投資戰(zhàn)略規(guī)劃策略建議等內(nèi)容。

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